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雜志簡(jiǎn)介中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計(jì) 通訊方式相關(guān)雜志期刊導(dǎo)航

Ieee Transactions On Electron Devices 雜志簡(jiǎn)介

《Ieee Transactions On Electron Devices》重點(diǎn)專注發(fā)布工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域的新研究，旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識(shí)。鼓勵(lì)該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實(shí)驗(yàn)研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今，在工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域，有較高影響力，對(duì)來稿文章質(zhì)量要求較高，稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Ieee Transactions On Electron Devices 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)

中科院SCI期刊分區(qū)（2026年3月發(fā)布）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	3區(qū) 3區(qū)	是	是

中科院SCI期刊分區(qū)（2025年3月升級(jí)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	3區(qū) 3區(qū)	是	是

中科院SCI期刊分區(qū)（2023年12月升級(jí)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	2區(qū)	PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū) 3區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2022年12月升級(jí)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	2區(qū)	PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū) 3區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月升級(jí)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	2區(qū)	PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū) 3區(qū)	是	是

中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月基礎(chǔ)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	3區(qū) 3區(qū)	是	是

中科院SCI期刊分區(qū)（2020年12月升級(jí)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	2區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	2區(qū) 2區(qū)	是	是

中科院分區(qū)趨勢(shì)圖

影響因子趨勢(shì)圖

中科院JCR分區(qū)：中科院JCR期刊分區(qū)（又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）是中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果，是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo)，一般而言，發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文，通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù)，現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo)，不僅是一種測(cè)度期刊有用性和顯示度的指標(biāo)，而且也是測(cè)度期刊的學(xué)術(shù)水平，乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Ieee Transactions On Electron Devices 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	143 / 368	61.3
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	71 / 187	62.3
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	149 / 368	59.65
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	65 / 187	65.51

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	143 / 352	59.5
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	68 / 179	62.3
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	145 / 354	59.18
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q2	61 / 179	66.2

Ieee Transactions On Electron Devices CiteScore 評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)

CiteScore：6.5
SJR：0.809
SNIP：1.398

CiteScore 排名

學(xué)科類別	分區(qū)	排名	百分位
大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q1	235 / 1030	77%
大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	82 / 318	74%

CiteScore趨勢(shì)圖

年發(fā)文量趨勢(shì)圖

CiteScore：是由Elsevier2016年發(fā)布的一個(gè)評(píng)價(jià)學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo)，該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的，都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo)，給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Ieee Transactions On Electron Devices 雜志發(fā)文統(tǒng)計(jì)

文章名稱引用次數(shù)
Critical Role of Interlayer in Hf0.5Zr0.5O2 Ferroelectric FET Nonvolatile Memory Performance28
2-D Layered Materials for Next-Generation Electronics: Opportunities and Challenges20
Improved Switching Stability and the Effect of an Internal Series Resistor in HfO2/TiOX Bilayer ReRAM Cells18
Physical Insights on Negative Capacitance Transistors in Nonhysteresis and Hysteresis Regimes: MFMIS Versus MFIS Structures17
2-D Analytical Drain Current Model of Double-Gate Heterojunction TFETs With a SiO2/HfO2 Stacked Gate-Oxide Structure15
Cryogenic MOS Transistor Model15
Performance Assessment of the Charge-Plasma-Based Cylindrical GAA Vertical Nanowire TFET With Impact of Interface Trap Charges15
Layout Design Correlated With Self-Heating Effect in Stacked Nanosheet Transistors14
Dirac Electrons at the Source: Breaking the 60-mV/Decade Switching Limit13
Performance and V-TH Stability in E-Mode GaN Fully Recessed MIS-FETs and Partially Recessed MIS-HEMTs With LPCVD-SiNx/PECVD-SiNx Gate Dielectric Stack12
國家/地區(qū)發(fā)文量
CHINA MAINLAND741
USA455
India399
Taiwan232
South Korea181
GERMANY (FED REP GER)149
Japan123
Italy111
France110
England100
機(jī)構(gòu)發(fā)文發(fā)文量
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)239
UNIVERSITY OF ELECTRONIC SCIENCE & TECHNOLOGY OF CHINA123
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES92
NATIONAL YANG MING CHIAO TUNG UNIVERSITY81
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM76
IMEC74
PEKING UNIVERSITY66
XIDIAN UNIVERSITY58
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)57
NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY50

Ieee Transactions On Electron Devices 雜志社通訊方式

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