根據(jù)最新信息《Ieee Transactions On Electron Devices》期刊在JCR分區(qū)中的排名如下：
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)在學(xué)科為ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC，收錄子集：，位于Q2區(qū)，排名143 / 368，百分位61.3PHYSICS, APPLIED，收錄子集：，位于Q2區(qū)，排名71 / 187，百分位62.3ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC，收錄子集：，位于Q2區(qū)，排名149 / 368，百分位59.65PHYSICS, APPLIED，收錄子集：，位于Q2區(qū)，排名65 / 187，百分位65.51按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)在學(xué)科為ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC，收錄子集：，位于Q2區(qū)，排名143 / 352，百分位59.5PHYSICS, APPLIED，收錄子集：，位于Q2區(qū)，排名68 / 179，百分位62.3ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC，收錄子集：，位于Q2區(qū)，排名145 / 354，百分位59.18PHYSICS, APPLIED，收錄子集：，位于Q2區(qū)，排名61 / 179，百分位66.2。
投稿咨詢| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 143 / 368 |
61.3 |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 71 / 187 |
62.3 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 149 / 368 |
59.65 |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 65 / 187 |
65.51 |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 143 / 352 |
59.5 |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 68 / 179 |
62.3 |
| 學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC | SCIE | Q2 | 145 / 354 |
59.18 |
| 學(xué)科：PHYSICS, APPLIED | SCIE | Q2 | 61 / 179 |
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這表明該刊在工程：電子與電氣領(lǐng)域具有較高的學(xué)術(shù)影響力和認(rèn)可度。此外，該刊創(chuàng)刊時(shí)間：1954年，影響因子：3.2，出版周期：Monthly、出版商：Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.以及收錄情況等信息也為其學(xué)術(shù)影響力提供了有力支持。
影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù)，現(xiàn)已成為國(guó)際上通用的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo)，不僅是一種測(cè)度期刊有用性和顯示度的指標(biāo)，而且也是測(cè)度期刊的學(xué)術(shù)水平，乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。
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