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Ieee Transactions On Electron Devices雜志影響因子怎么看?

來源:發(fā)表之家網(wǎng)整理 2026-06-22 21:42:25

《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志的影響因子為3.2。

影響因子趨勢圖

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數(shù)據(jù),現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價指標,不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標,而且也是測度期刊的學(xué)術(shù)水平,乃至論文質(zhì)量的重要指標。

以下是如何查看影響因子的幾種方法:

一、通過專業(yè)數(shù)據(jù)庫查詢

1. 通過Web of Science數(shù)據(jù)庫查詢:Web of Science是一個權(quán)威的學(xué)術(shù)數(shù)據(jù)庫,提供期刊影響因子的官方數(shù)據(jù)。

2.中國知網(wǎng)(CNKI):在CNKI中,用戶可以通過期刊導(dǎo)航功能搜索目標期刊,并在期刊詳情頁面查看其影響因子。

3.使用JCR:JCR是專門提供期刊引證報告的工具,隸屬于Web of Science。

二、查閱學(xué)術(shù)期刊官方網(wǎng)站

許多學(xué)術(shù)期刊會在其官方網(wǎng)站上公布最新的影響因子數(shù)據(jù)。

三、參考學(xué)術(shù)權(quán)威指南和排名

影響因子是一個動態(tài)變化的指標,會隨著時間的推移而發(fā)生變化。因此,在查看影響因子時,需要關(guān)注其發(fā)布的時間點。

《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志創(chuàng)刊于1954年,由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版,出版周期為Monthly,國際簡稱為IEEE T ELECTRON DEV,中文名稱IEEE Transactions On Electron Devices。該雜志旨在及時、準確、全面地報道國內(nèi)外工程技術(shù)-工程:電子與電氣領(lǐng)域取得的最新研究成果、工作進展及學(xué)術(shù)動態(tài)、技術(shù)革新等,促進學(xué)術(shù)交流,鼓勵學(xué)術(shù)創(chuàng)新。

《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志分區(qū)情況

中科院分區(qū):在中科院最新升級版分區(qū)表中,大類學(xué)科工程技術(shù)位于3區(qū),小類學(xué)科ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC工程:電子與電氣位于3區(qū)。

JCR分區(qū):根據(jù)最新JCR分區(qū), 按JCI指標學(xué)科分區(qū)中學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC,位于Q2區(qū),排名143 / 368,百分位61.3。PHYSICS, APPLIED,位于Q2區(qū),排名71 / 187,百分位62.3。ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC,位于Q2區(qū),排名149 / 368,百分位59.65。PHYSICS, APPLIED,位于Q2區(qū),排名65 / 187,百分位65.51。 按JCI指標學(xué)科分區(qū)中學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC,位于Q2區(qū),排名143 / 352,百分位59.5。PHYSICS, APPLIED,位于Q2區(qū),排名68 / 179,百分位62.3。ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC,位于Q2區(qū),排名145 / 354,百分位59.18。PHYSICS, APPLIED,位于Q2區(qū),排名61 / 179,百分位66.2。

投稿咨詢

Ieee Transactions On Electron Devices 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫
按JCI指標學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 143 / 368

61.3

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 71 / 187

62.3

學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 149 / 368

59.65

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 65 / 187

65.51

按JCI指標學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 143 / 352

59.5

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 68 / 179

62.3

學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 145 / 354

59.18

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 61 / 179

66.2

《Ieee Transactions On Electron Devices》雜志評價數(shù)據(jù)

影響因子:3.2

Gold OA文章占比:6.38%

CiteScore:6.5

SJR:0.809

SNIP:1.398

年發(fā)文量:1123

年發(fā)文量趨勢圖

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Ieee Transactions On Electron Devices

影響因子:3.2

大類學(xué)科:工程技術(shù)

中科院:3區(qū)

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