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雜志簡介中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計通訊方式相關雜志期刊導航

Ieee Transactions On Electromagnetic Compatibility 雜志簡介

《Ieee Transactions On Electromagnetic Compatibility》重點專注發(fā)布工程技術-電信學領域的新研究，旨在促進和傳播該領域相關的新技術和新知識。鼓勵該領域研究者詳細地發(fā)表他們的高質量實驗研究和理論結果。該雜志創(chuàng)刊至今，在工程技術-電信學領域，有較高影響力，對來稿文章質量要求較高，稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領域研究者投稿該雜志。

Ieee Transactions On Electromagnetic Compatibility 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)

中科院SCI期刊分區(qū)（2026年3月發(fā)布）

大類學科	分區(qū)	小類學科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 TELECOMMUNICATIONS 電信學	3區(qū) 3區(qū)	是	是

中科院SCI期刊分區(qū)（2025年3月升級版）

大類學科	分區(qū)	小類學科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 TELECOMMUNICATIONS 電信學	3區(qū) 3區(qū)	是	是

中科院SCI期刊分區(qū)（2023年12月升級版）

大類學科	分區(qū)	小類學科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
計算機科學	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 TELECOMMUNICATIONS 電信學	3區(qū) 3區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2022年12月升級版）

大類學科	分區(qū)	小類學科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
計算機科學	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 TELECOMMUNICATIONS 電信學	3區(qū) 3區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月升級版）

大類學科	分區(qū)	小類學科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
計算機科學	2區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 TELECOMMUNICATIONS 電信學	3區(qū) 3區(qū)	是	是

中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月基礎版）

大類學科	分區(qū)	小類學科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 TELECOMMUNICATIONS 電信學	4區(qū) 4區(qū)	是	是

中科院SCI期刊分區(qū)（2020年12月升級版）

大類學科	分區(qū)	小類學科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
計算機科學	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 TELECOMMUNICATIONS 電信學	3區(qū) 3區(qū)	是	是

中科院分區(qū)趨勢圖

影響因子趨勢圖

中科院JCR分區(qū)：中科院JCR期刊分區(qū)（又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）是中國科學院文獻情報中心世界科學前沿分析中心的科學研究成果，是衡量學術期刊影響力的一個重要指標，一般而言，發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文，通常被認為是該學科領域的比較重要的成果。

影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數(shù)據(jù)，現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價指標，不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標，而且也是測度期刊的學術水平，乃至論文質量的重要指標。

Ieee Transactions On Electromagnetic Compatibility 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫

按JCI指標學科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	184 / 368	50.1
學科：TELECOMMUNICATIONS	SCIE	Q3	67 / 120	44.6
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	186 / 368	49.59
學科：TELECOMMUNICATIONS	SCIE	Q3	71 / 120	41.25

按JCI指標學科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	202 / 352	42.8
學科：TELECOMMUNICATIONS	SCIE	Q3	75 / 119	37.4
學科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	192 / 354	45.9
學科：TELECOMMUNICATIONS	SCIE	Q3	72 / 119	39.92

Ieee Transactions On Electromagnetic Compatibility CiteScore 評價數(shù)據(jù)

CiteScore：5.7
SJR：1.013
SNIP：1.344

CiteScore 排名

學科類別	分區(qū)	排名	百分位
大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q2	280 / 1030	72%
大類：Engineering 小類：Condensed Matter Physics	Q2	128 / 446	71%
大類：Engineering 小類：Atomic and Molecular Physics, and Optics	Q2	76 / 243	68%

CiteScore趨勢圖

年發(fā)文量趨勢圖

CiteScore：是由Elsevier2016年發(fā)布的一個評價學術期刊質量的指標，該指標是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的，都是可以體現(xiàn)期刊質量的重要指標，給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Ieee Transactions On Electromagnetic Compatibility 雜志發(fā)文統(tǒng)計

文章名稱引用次數(shù)
A 2.5-D Angularly Stable Frequency Selective Surface Using Via-Based Structure for 5G EMI Shielding14
Time-Domain Modeling of Grounding Systems' Impulse Response Incorporating Nonlinear and Frequency-Dependent Aspects13
Variability Impact of Many Design Parameters: The Case of a Realistic Electronic Link10
Machine Learning for the Performance Assessment of High-Speed Links9
Transient Analysis of Crosstalk Induced Effects in Mixed CNT Bundle Interconnects Using FDTD Technique8
Evaluation of the Mitigation Effect of the Shield Wires on Lightning Induced Overvoltages in MV Distribution Systems Using Statistical Analysis7
Analyzing the Shielding Effectiveness of a Graphene-Coated Shielding Sheet by Using the HIE-FDTD Method7
Norm Criteria in the Electromagnetic Time Reversal Technique for Fault Location in Transmission Lines6
Radio Frequency Exposure Compliance of Multiple Antennas for Cellular Equipment Based on Semidefinite Relaxation5
High-Frequency Electromagnetic Simulation and Optimization for GaN-HEMT Power Amplifier IC5
國家/地區(qū)發(fā)文量
CHINA MAINLAND244
USA175
Italy113
France59
Japan58
South Korea49
GERMANY (FED REP GER)40
Canada39
Switzerland32
England31
機構發(fā)文發(fā)文量
UNIVERSITY OF MISSOURI SYSTEM91
UNIVERSITY OF L'AQUILA44
ZHEJIANG UNIVERSITY33
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)26
XI'AN JIAOTONG UNIVERSITY26
ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE24
POLYTECHNIC UNIVERSITY OF MILAN18
POLYTECHNIC UNIVERSITY OF TURIN17
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES15
US FOOD & DRUG ADMINISTRATION (FDA)15

Ieee Transactions On Electromagnetic Compatibility 雜志社通訊方式

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