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Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing
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Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing

半導(dǎo)體制造的IEEE交易雜志

中科院分區(qū):3區(qū) JCR分區(qū):Q2 預(yù)計審稿周期:約6.0個月

《Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing》是一本由Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.出版商出版的工程技術(shù)國際刊物,國際簡稱為IEEE T SEMICONDUCT M,中文名稱半導(dǎo)體制造的IEEE交易。該刊創(chuàng)刊于1988年,出版周期為Quarterly。 《Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing》2024年影響因子為2.3,被收錄于國際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCI、SCIE。

ISSN:0894-6507
研究方向:工程技術(shù)-工程:電子與電氣
是否預(yù)警:是
E-ISSN:1558-2345
出版地區(qū):UNITED STATES
Gold OA文章占比:4.67%
語言:English
是否OA:未開放
OA被引用占比:
出版商:Institute of Electrical and Electronics Engineers Inc.
出版周期:Quarterly
影響因子:2.3
創(chuàng)刊時間:1988
年發(fā)文量:72
雜志簡介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導(dǎo)航

Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing 雜志簡介

《Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing》重點(diǎn)專注發(fā)布工程技術(shù)-工程:電子與電氣領(lǐng)域的新研究,旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識。鼓勵該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實(shí)驗(yàn)研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今,在工程技術(shù)-工程:電子與電氣領(lǐng)域,有較高影響力,對來稿文章質(zhì)量要求較高,稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)(2026年3月發(fā)布)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, MANUFACTURING 工程:制造 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 3區(qū) 3區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2025年3月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程:制造 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2023年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程:制造 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2022年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程:制造 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程:制造 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月基礎(chǔ)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程:制造 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2020年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, MANUFACTURING 工程:制造 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū)趨勢圖
影響因子趨勢圖

中科院JCR分區(qū):中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果,是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個重要指標(biāo),一般而言,發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文,通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù),現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價指標(biāo),不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標(biāo),而且也是測度期刊的學(xué)術(shù)水平,乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 198 / 368

46.3

學(xué)科:ENGINEERING, MANUFACTURING SCIE Q3 49 / 71

31.7

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 114 / 187

39.3

學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 48 / 80

40.6

學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 212 / 368

42.53

學(xué)科:ENGINEERING, MANUFACTURING SCIE Q3 47 / 71

34.51

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 111 / 187

40.91

學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q2 40 / 80

50.63

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 175 / 352

50.4

學(xué)科:ENGINEERING, MANUFACTURING SCIE Q3 41 / 68

40.4

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 100 / 179

44.4

學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q3 45 / 79

43.7

學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 183 / 354

48.45

學(xué)科:ENGINEERING, MANUFACTURING SCIE Q3 35 / 68

49.26

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q3 92 / 179

48.88

學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q2 33 / 79

58.86

Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing CiteScore 評價數(shù)據(jù)

  • CiteScore:4.8
  • SJR:0.575
  • SNIP:1.14

CiteScore 排名

學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Industrial and Manufacturing Engineering Q2 138 / 425

67%

大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 340 / 1030

67%

大類:Engineering 小類:Condensed Matter Physics Q2 168 / 446

62%

大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q2 132 / 318

58%

CiteScore趨勢圖
年發(fā)文量趨勢圖

CiteScore:是由Elsevier2016年發(fā)布的一個評價學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo),該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的,都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo),給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing 雜志發(fā)文統(tǒng)計

文章名稱引用次數(shù)

  • Hybrid Particle Swarm Optimization Combined With Genetic Operators for Flexible Job-Shop Scheduling Under Uncertain Processing Time for Semiconductor Manufacturing23
  • A Voting Ensemble Classifier for Wafer Map Defect Patterns Identification in Semiconductor Manufacturing15
  • A Data Driven Cycle Time Prediction With Feature Selection in a Semiconductor Wafer Fabrication System12
  • Anomaly Detection and Segmentation for Wafer Defect Patterns Using Deep Convolutional Encoder-Decoder Neural Network Architectures in Semiconductor Manufacturing10
  • Fault Detection and Diagnosis Using Self-Attentive Convolutional Neural Networks for Variable-Length Sensor Data in Semiconductor Manufacturing8
  • Compact Analytical Model to Extract Write Static Noise Margin (WSNM) for SRAM Cell at 45-nm and 65-nm Nodes7
  • Just-In-Time Modeling With Variable Shrinkage Based on Gaussian Processes for Semiconductor Manufacturing6
  • Efficient Approach to Cyclic Scheduling of Single-Arm Cluster Tools With Chamber Cleaning Operations and Wafer Residency Time Constraint4
  • Scheduling of Dual Resource Constrained Lithography Production: Using CP and MIP/CP4
  • Photoelectrochemical Etching Technology for Gallium Nitride Power and RF Devices3

國家/地區(qū)發(fā)文量

  • USA83
  • South Korea40
  • CHINA MAINLAND38
  • Japan29
  • Taiwan25
  • GERMANY (FED REP GER)15
  • Belgium6
  • India6
  • Netherlands6
  • Singapore6

機(jī)構(gòu)發(fā)文發(fā)文量

  • SAMSUNG14
  • GLOBALFOUNDRIES11
  • SAMSUNG ELECTRONICS10
  • KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE & TECHNOLOGY (KAIST)8
  • UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA8
  • INTEL CORPORATION7
  • NATIONAL TSING HUA UNIVERSITY7
  • SKYWORKS SOLUT INC7
  • ASML HOLDING6
  • IMEC6

Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing 雜志社通訊方式

《Ieee Transactions On Semiconductor Manufacturing》雜志通訊方式為:IEEE-INST ELECTRICAL ELECTRONICS ENGINEERS INC, 445 HOES LANE, PISCATAWAY, USA, NJ, 08855-4141。詳細(xì)征稿細(xì)則請查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導(dǎo)服務(wù),SCI檢索,確保稿件信息安全保密,合乎學(xué)術(shù)規(guī)范,詳情請咨詢客服。

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