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Microelectronics International
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Microelectronics International

微電子國際雜志

中科院分區(qū):4區(qū) JCR分區(qū):Q4 預(yù)計審稿周期: 12周,或約稿

《Microelectronics International》是一本由Emerald Group Publishing Ltd.出版商出版的工程技術(shù)國際刊物,國際簡稱為MICROELECTRON INT,中文名稱微電子國際。該刊創(chuàng)刊于1982年,出版周期為Tri-annual。 《Microelectronics International》2023年影響因子為0.7,被收錄于國際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE。

ISSN:1356-5362
研究方向:工程技術(shù)-材料科學(xué):綜合
是否預(yù)警:否
E-ISSN:1758-812X
出版地區(qū):ENGLAND
Gold OA文章占比:1.10%
語言:English
是否OA:混合
OA被引用占比:0
出版商:Emerald Group Publishing Ltd.
出版周期:Tri-annual
影響因子:0.7
創(chuàng)刊時間:1982
年發(fā)文量:30
雜志簡介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導(dǎo)航

Microelectronics International 雜志簡介

《Microelectronics International》重點專注發(fā)布工程技術(shù)-材料科學(xué):綜合領(lǐng)域的新研究,旨在促進和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識。鼓勵該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實驗研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今,在工程技術(shù)-材料科學(xué):綜合領(lǐng)域,有較高影響力,對來稿文章質(zhì)量要求較高,稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Microelectronics International 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)(2023年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2022年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月舊的升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月基礎(chǔ)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2020年12月舊的升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué):綜合 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū)趨勢圖
影響因子趨勢圖

中科院JCR分區(qū):中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國科學(xué)院文獻情報中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果,是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個重要指標(biāo),一般而言,發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文,通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數(shù)據(jù),現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價指標(biāo),不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標(biāo),而且也是測度期刊的學(xué)術(shù)水平,乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Microelectronics International 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 308 / 352

12.6%

學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q4 399 / 438

9%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q4 314 / 354

11.44%

學(xué)科:MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY SCIE Q4 383 / 438

12.67%

Microelectronics International CiteScore 評價數(shù)據(jù)

  • CiteScore:1.9
  • SJR:0.188
  • SNIP:0.354

CiteScore 排名

學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q3 511 / 797

35%

大類:Engineering 小類:Surfaces, Coatings and Films Q3 90 / 132

31%

大類:Engineering 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q3 201 / 284

29%

大類:Engineering 小類:Condensed Matter Physics Q3 308 / 434

29%

大類:Engineering 小類:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q3 163 / 224

27%

CiteScore趨勢圖
年發(fā)文量趨勢圖

CiteScore:是由Elsevier2016年發(fā)布的一個評價學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo),該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的,都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo),給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Microelectronics International 雜志發(fā)文統(tǒng)計

文章名稱引用次數(shù)

  • Electrical properties of Pb[Zr0.35Ti0.65]O-3 on PEALD Al2O3 for NVM applications4
  • Study of lamination quality of solar modules with PMMA front layer2
  • Development of a current mirror-integrated pressure sensor using CMOS-MEMS cofabrication techniques1
  • Dielectrophoresis velocities response on tapered electrode profile: simulation and experimental1
  • Antireflective and passivation properties of the photovoltaic structure with Al2O3 layer of different thickness1
  • Effective approach of microprocessor throughput enhancement1
  • Crystal orientation dependence of alternating current photo-assisted (ACPEC) porous silicon for potential optoelectronic application1
  • Low temperature co-fired ceramics technology for active eddy current turbocharger speed sensors0
  • Multilayer thick-film ceramic for multichip modules with laser microvias0
  • A high gain 10 watts wideband distributed power amplifier for two way radio system0

國家/地區(qū)發(fā)文量

  • Poland24
  • Malaysia19
  • CHINA MAINLAND12
  • India9
  • GERMANY (FED REP GER)4
  • Iran4
  • Argentina2
  • England2
  • France2
  • Singapore2

機構(gòu)發(fā)文發(fā)文量

  • UNIVERSITI SAINS MALAYSIA9
  • SILESIAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY5
  • UNIVERSITI KEBANGSAAN MALAYSIA5
  • WROCLAW UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY5
  • WARSAW UNIVERSITY OF TECHNOLOGY4
  • AGH UNIVERSITY OF SCIENCE & TECHNOLOGY3
  • HELIOENERGIA SP ZOO3
  • POLISH ACADEMY OF SCIENCES3
  • UNIVERSITI MALAYA3
  • ABRAXAS OLGIERD JEREMIASZ2

Microelectronics International 雜志社通訊方式

《Microelectronics International》雜志通訊方式為:EMERALD GROUP PUBLISHING LIMITED, HOWARD HOUSE, WAGON LANE, BINGLEY, ENGLAND, W YORKSHIRE, BD16 1WA。詳細(xì)征稿細(xì)則請查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導(dǎo)服務(wù),SCI檢索,確保稿件信息安全保密,合乎學(xué)術(shù)規(guī)范,詳情請咨詢客服。

SCI期刊分類導(dǎo)航

免責(zé)聲明

若用戶需要出版服務(wù),請聯(lián)系出版商:EMERALD GROUP PUBLISHING LIMITED, HOWARD HOUSE, WAGON LANE, BINGLEY, ENGLAND, W YORKSHIRE, BD16 1WA。

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