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Semiconductors
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Semiconductors

半導(dǎo)體雜志

中科院分區(qū):4區(qū) JCR分區(qū):Q4 預(yù)計(jì)審稿周期: 一般,3-6周

《Semiconductors》是一本由Pleiades Publishing出版商出版的物理與天體物理國際刊物,國際簡(jiǎn)稱為SEMICONDUCTORS+,中文名稱半導(dǎo)體。該刊創(chuàng)刊于1997年,出版周期為Monthly。 《Semiconductors》2023年影響因子為0.6,被收錄于國際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE。

ISSN:1063-7826
研究方向:物理-物理:凝聚態(tài)物理
是否預(yù)警:否
E-ISSN:1090-6479
出版地區(qū):RUSSIA
Gold OA文章占比:0.00%
語言:English
是否OA:未開放
OA被引用占比:0
出版商:Pleiades Publishing
出版周期:Monthly
影響因子:0.6
創(chuàng)刊時(shí)間:1997
年發(fā)文量:90
雜志簡(jiǎn)介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計(jì) 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導(dǎo)航

Semiconductors 雜志簡(jiǎn)介

《Semiconductors》重點(diǎn)專注發(fā)布物理-物理:凝聚態(tài)物理領(lǐng)域的新研究,旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識(shí)。鼓勵(lì)該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實(shí)驗(yàn)研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今,在物理-物理:凝聚態(tài)物理領(lǐng)域,有較高影響力,對(duì)來稿文章質(zhì)量要求較高,稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Semiconductors 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)(2023年12月升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2022年12月升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月舊的升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月基礎(chǔ)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理 4區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2020年12月舊的升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
物理與天體物理 4區(qū) PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理:凝聚態(tài)物理 4區(qū)
中科院分區(qū)趨勢(shì)圖
影響因子趨勢(shì)圖

中科院JCR分區(qū):中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果,是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo),一般而言,發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文,通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù),現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo),不僅是一種測(cè)度期刊有用性和顯示度的指標(biāo),而且也是測(cè)度期刊的學(xué)術(shù)水平,乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Semiconductors 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫
按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 74 / 79

7%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:PHYSICS, CONDENSED MATTER SCIE Q4 74 / 79

6.96%

Semiconductors CiteScore 評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)

  • CiteScore:1.5
  • SJR:0.173
  • SNIP:0.314

CiteScore 排名

學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Materials Science 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q4 222 / 284

22%

大類:Materials Science 小類:Condensed Matter Physics Q4 340 / 434

21%

大類:Materials Science 小類:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q4 176 / 224

21%

CiteScore趨勢(shì)圖
年發(fā)文量趨勢(shì)圖

CiteScore:是由Elsevier2016年發(fā)布的一個(gè)評(píng)價(jià)學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo),該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的,都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo),給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Semiconductors 雜志發(fā)文統(tǒng)計(jì)

文章名稱引用次數(shù)

  • Crystallization of Amorphous Germanium Films and Multilayer a-Ge/a-Si Structures upon Exposure to Nanosecond Laser Radiation6
  • Microlens-Enhanced Substrate Patterning and MBE Growth of GaP Nanowires5
  • Discovery of III-V Semiconductors: Physical Properties and Application5
  • On the Intracenter Relaxation of Shallow Arsenic Donors in Stressed Germanium. Population Inversion under Optical Excitation4
  • Study of the Effect of Doping with Iron on the Luminescence of Zinc-Selenide Single Crystals4
  • On Estimates of the Electron Affinity of Silicon-Carbide Polytypes and the Band Offsets in Heterojunctions Based on These Polytypes4
  • Photoluminescence of ZnS:Cu in a Polymethyl Methacrylate Matrix4
  • Self-Catalyzed MBE-Grown GaP Nanowires on Si(111): V/III Ratio Effects on the Morphology and Crystal Phase Switching4
  • Simulation and Experimental Studies of Illumination Effects on the Current Transport of Nitridated GaAs Schottky Diode3
  • Light-Emitting Diodes Based on an Asymmetrical InAs/InAsSb/InAsSbP Double Heterostructure for CO2 (=4.3 m) and CO (=4.7 m) Detection3

Semiconductors 雜志社通訊方式

《Semiconductors》雜志通訊方式為:MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER, 233 SPRING ST, NEW YORK, USA, NY, 10013-1578。詳細(xì)征稿細(xì)則請(qǐng)查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導(dǎo)服務(wù),SCI檢索,確保稿件信息安全保密,合乎學(xué)術(shù)規(guī)范,詳情請(qǐng)咨詢客服。

SCI期刊分類導(dǎo)航

免責(zé)聲明

若用戶需要出版服務(wù),請(qǐng)聯(lián)系出版商:MAIK NAUKA/INTERPERIODICA/SPRINGER, 233 SPRING ST, NEW YORK, USA, NY, 10013-1578。

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