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雜志簡(jiǎn)介中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計(jì) 通訊方式相關(guān)雜志期刊導(dǎo)航

Semiconductor Science And Technology 雜志簡(jiǎn)介

《Semiconductor Science And Technology》重點(diǎn)專注發(fā)布工程技術(shù)-材料科學(xué)：綜合領(lǐng)域的新研究，旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識(shí)。鼓勵(lì)該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實(shí)驗(yàn)研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今，在工程技術(shù)-材料科學(xué)：綜合領(lǐng)域，有較高影響力，對(duì)來(lái)稿文章質(zhì)量要求較高，稿件投稿過(guò)審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Semiconductor Science And Technology 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)

中科院SCI期刊分區(qū)（2023年12月升級(jí)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2022年12月升級(jí)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月舊的升級(jí)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月基礎(chǔ)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月升級(jí)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合 PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2020年12月舊的升級(jí)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	PHYSICS, CONDENSED MATTER 物理：凝聚態(tài)物理 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY 材料科學(xué)：綜合	3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	否	否

中科院分區(qū)趨勢(shì)圖

影響因子趨勢(shì)圖

中科院JCR分區(qū)：中科院JCR期刊分區(qū)（又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）是中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果，是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo)，一般而言，發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文，通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù)，現(xiàn)已成為國(guó)際上通用的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo)，不僅是一種測(cè)度期刊有用性和顯示度的指標(biāo)，而且也是測(cè)度期刊的學(xué)術(shù)水平，乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Semiconductor Science And Technology 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(kù)

按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	211 / 352	40.2%
學(xué)科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q3	301 / 438	31.4%
學(xué)科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	SCIE	Q3	50 / 79	37.3%

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	238 / 354	32.91%
學(xué)科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY	SCIE	Q3	293 / 438	33.22%
學(xué)科：PHYSICS, CONDENSED MATTER	SCIE	Q3	51 / 79	36.08%

Semiconductor Science And Technology CiteScore 評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)

CiteScore：4.3
SJR：0.411
SNIP：0.741

CiteScore 排名

學(xué)科類別	分區(qū)	排名	百分位
大類：Engineering 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q2	305 / 797	61%
大類：Engineering 小類：Condensed Matter Physics	Q2	167 / 434	61%
大類：Engineering 小類：Materials Chemistry	Q2	137 / 317	56%
大類：Engineering 小類：Electronic, Optical and Magnetic Materials	Q2	126 / 284	55%

CiteScore趨勢(shì)圖

年發(fā)文量趨勢(shì)圖

CiteScore：是由Elsevier2016年發(fā)布的一個(gè)評(píng)價(jià)學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo)，該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的，都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo)，給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Semiconductor Science And Technology 雜志發(fā)文統(tǒng)計(jì)

文章名稱引用次數(shù)
Metal oxide nanostructures for sensor applications29
Structural, electronic and phononic properties of PtSe2: from monolayer to bulk19
A comprehensive device modelling of perovskite solar cell with inorganic copper iodide as hole transport material15
Strain-tuning of the optical properties of semiconductor nanomaterials by integration onto piezoelectric actuators14
Nanowire photodetectors based on wurtzite semiconductor heterostructures10
Synthesis and Characterization of Methylammonium Lead Iodide Perovskite and its Application in Planar Hetero-junction Devices9
Low voltage & controlled switching of MoS2-GO resistive layers based ReRAM for non-volatile memory applications9
Growth and etching characteristics of (001) beta-Ga2O3 by plasma-assisted molecular beam epitaxy8
Fabrication of relaxed InGaN pseudo-substrates composed of micron-sized pattern arrays with high fill factors using porous GaN8
Mechanism of enhanced photocatalytic activity of Cr-doped ZnO nanoparticles revealed by photoluminescence emission and electron spin resonance7
國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量
CHINA MAINLAND257
USA139
India121
GERMANY (FED REP GER)95
South Korea90
England64
Japan64
France55
Russia52
Taiwan31
機(jī)構(gòu)發(fā)文發(fā)文量
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES63
INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)47
RUSSIAN ACADEMY OF SCIENCES42
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)41
UNIVERSITY OF CALIFORNIA SYSTEM34
IMEC20
SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY (SKKU)20
FERDINAND-BRAUN-INSTITUT LEIBNIZ-INSTITUT FUER HOECHSTFREQUENZTECHNIK (FBH)18
PEKING UNIVERSITY18
XIDIAN UNIVERSITY17

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