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Microelectronic Engineering
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Microelectronic Engineering

微電子工程雜志

中科院分區(qū):3區(qū) JCR分區(qū):Q2 預(yù)計(jì)審稿周期:約6.0個(gè)月

《Microelectronic Engineering》是一本由Elsevier出版商出版的工程技術(shù)國(guó)際刊物,國(guó)際簡(jiǎn)稱為MICROELECTRON ENG,中文名稱微電子工程。該刊創(chuàng)刊于1983年,出版周期為Monthly。 《Microelectronic Engineering》2024年影響因子為3.1,被收錄于國(guó)際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCI、SCIE。

ISSN:0167-9317
研究方向:工程技術(shù)-工程:電子與電氣
是否預(yù)警:是
E-ISSN:1873-5568
出版地區(qū):NETHERLANDS
Gold OA文章占比:15.94%
語言:English
是否OA:未開放
OA被引用占比:
出版商:Elsevier
出版周期:Monthly
影響因子:3.1
創(chuàng)刊時(shí)間:1983
年發(fā)文量:87
雜志簡(jiǎn)介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計(jì) 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導(dǎo)航

Microelectronic Engineering 雜志簡(jiǎn)介

《Microelectronic Engineering》重點(diǎn)專注發(fā)布工程技術(shù)-工程:電子與電氣領(lǐng)域的新研究,旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識(shí)。鼓勵(lì)該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實(shí)驗(yàn)研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今,在工程技術(shù)-工程:電子與電氣領(lǐng)域,有較高影響力,對(duì)來稿文章質(zhì)量要求較高,稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Microelectronic Engineering 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)(2026年3月發(fā)布)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2025年3月升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2023年12月升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2022年12月升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 3區(qū) 3區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月基礎(chǔ)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2020年12月升級(jí)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 3區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 OPTICS 光學(xué) PHYSICS, APPLIED 物理:應(yīng)用 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū) 3區(qū)
中科院分區(qū)趨勢(shì)圖
影響因子趨勢(shì)圖

中科院JCR分區(qū):中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果,是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo),一般而言,發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文,通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù),現(xiàn)已成為國(guó)際上通用的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo),不僅是一種測(cè)度期刊有用性和顯示度的指標(biāo),而且也是測(cè)度期刊的學(xué)術(shù)水平,乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Microelectronic Engineering 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫
按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 152 / 368

58.8

學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 91 / 147

38.4

學(xué)科:OPTICS SCIE Q2 45 / 125

64.4

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 75 / 187

60.2

學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 174 / 368

52.85

學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 79 / 147

46.6

學(xué)科:OPTICS SCIE Q3 67 / 125

46.8

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 84 / 187

55.35

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 157 / 352

55.5

學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 94 / 140

33.2

學(xué)科:OPTICS SCIE Q2 45 / 119

62.6

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 81 / 179

55

學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 179 / 354

49.58

學(xué)科:NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY SCIE Q3 74 / 140

47.5

學(xué)科:OPTICS SCIE Q3 64 / 120

47.08

學(xué)科:PHYSICS, APPLIED SCIE Q2 88 / 179

51.12

Microelectronic Engineering CiteScore 評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)

  • CiteScore:7.4
  • SJR:0.595
  • SNIP:1.076

CiteScore 排名

學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Physics and Astronomy 小類:Condensed Matter Physics Q1 78 / 446

82%

大類:Physics and Astronomy 小類:Electrical and Electronic Engineering Q1 188 / 1030

81%

大類:Physics and Astronomy 小類:Atomic and Molecular Physics, and Optics Q1 47 / 243

80%

大類:Physics and Astronomy 小類:Surfaces, Coatings and Films Q1 30 / 141

79%

大類:Physics and Astronomy 小類:Electronic, Optical and Magnetic Materials Q1 68 / 318

78%

CiteScore趨勢(shì)圖
年發(fā)文量趨勢(shì)圖

CiteScore:是由Elsevier2016年發(fā)布的一個(gè)評(píng)價(jià)學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo),該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的,都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo),給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Microelectronic Engineering 雜志發(fā)文統(tǒng)計(jì)

文章名稱引用次數(shù)

  • Brain-inspired computing with resistive switching memory (RRAM): Devices, synapses and neural networks36
  • Micropumps and biomedical applications - A review25
  • Microfluidic platforms for cell cultures and investigations17
  • Impedimetric nanoparticle aptasensor for selective and label free pesticide detection10
  • Molecularly imprinted polymers for the selective detection of multi-analyte neurotransmitters9
  • Carry save adder and carry look ahead adder using inverter chain based coplanar QCA full adder for low energy dissipation8
  • A novel fault tolerant majority gate in quantum-dot cellular automata to create a revolution in design of fault tolerant nanostructures, with physical verification7
  • Exploiting atomic layer deposition for fabricating sub-10 nm X-ray lenses7
  • Theoretical study of H-2 adsorbed on monolayer MoS2 doped with N, Si, P7
  • Micro- and nanofabrication NMR technologies for point-of-care medical applications - A review7

國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量

  • CHINA MAINLAND104
  • South Korea80
  • France56
  • USA47
  • Japan45
  • GERMANY (FED REP GER)41
  • India36
  • Taiwan31
  • Greece27
  • Italy27

機(jī)構(gòu)發(fā)文發(fā)文量

  • CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)38
  • CEA22
  • COMMUNAUTE UNIVERSITE GRENOBLE ALPES18
  • CHINESE ACADEMY OF SCIENCES15
  • FUDAN UNIVERSITY14
  • TECHNICAL UNIVERSITY OF DENMARK13
  • AUTONOMOUS UNIVERSITY OF BARCELONA12
  • CONSIGLIO NAZIONALE DELLE RICERCHE (CNR)12
  • NATIONAL CENTRE OF SCIENTIFIC RESEARCH DEMOKRITOS12
  • CONSEJO SUPERIOR DE INVESTIGACIONES CIENTIFICAS (CSIC)10

Microelectronic Engineering 雜志社通訊方式

《Microelectronic Engineering》雜志通訊方式為:ELSEVIER SCIENCE BV, PO BOX 211, AMSTERDAM, NETHERLANDS, 1000 AE。詳細(xì)征稿細(xì)則請(qǐng)查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導(dǎo)服務(wù),SCI檢索,確保稿件信息安全保密,合乎學(xué)術(shù)規(guī)范,詳情請(qǐng)咨詢客服。

SCI期刊分類導(dǎo)航

免責(zé)聲明

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