特別(bie)提示:下(xia)文(wen)涉及的(de)題材(cai)或(huo)公司(si),內容(rong)羅(luo)列(lie)和篇幅長短,與(yu)后續(xu)漲(zhang)跌無關(guan),亦均非進行推(tui)薦,僅作研究輔助。投資者應(ying)自(zi)主決策,注意風險。 一、市場(chang)(chang)熱(re)點 存儲:高(gao)價值(zhi)DRAM需(xu)求持續(xu)增(zeng)(zeng)長 ◇驅動:2025年(nian)(nian)8月21日盤中媒體報道,AI驅動以HBM3E和高(gao)容(rong)量DDR5為代表的(de)高(gao)價值(zhi)DRAM需(xu)求持續(xu)增(zeng)(zeng)長,以及二季(ji)(ji)度(du)存儲原廠EOL通(tong)知(zhi)刺(ci)激傳(chuan)統DDR4/LPDDR4X價格與(yu)需(xu)求快(kuai)速攀升的(de)雙重驅動下(xia),2025年(nian)(nian)二季(ji)(ji)度(du)全球DRAM市場(chang)(chang)規模環比增(zeng)(zeng)長20%至321.01億(yi)美元,創歷史季(ji)(ji)度(du)新(xin)高(gao)。 ◇定制(zhi)化DRAM:機構(gou)表示,