《Silicon》雜志的影響因子為2.8。
影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù)，現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價(jià)指標(biāo)，不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標(biāo)，而且也是測度期刊的學(xué)術(shù)水平，乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。
以下是如何查看影響因子的幾種方法：
一、通過專業(yè)數(shù)據(jù)庫查詢
1. 通過Web of Science數(shù)據(jù)庫查詢：Web of Science是一個權(quán)威的學(xué)術(shù)數(shù)據(jù)庫，提供期刊影響因子的官方數(shù)據(jù)。
2.中國知網(wǎng)（CNKI）：在CNKI中，用戶可以通過期刊導(dǎo)航功能搜索目標(biāo)期刊，并在期刊詳情頁面查看其影響因子。
3.使用JCR：JCR是專門提供期刊引證報(bào)告的工具，隸屬于Web of Science。
二、查閱學(xué)術(shù)期刊官方網(wǎng)站
許多學(xué)術(shù)期刊會在其官方網(wǎng)站上公布最新的影響因子數(shù)據(jù)。
三、參考學(xué)術(shù)權(quán)威指南和排名
影響因子是一個動態(tài)變化的指標(biāo)，會隨著時(shí)間的推移而發(fā)生變化。因此，在查看影響因子時(shí)，需要關(guān)注其發(fā)布的時(shí)間點(diǎn)。
《Silicon》雜志創(chuàng)刊于2009年，由Springer Netherlands出版商出版，出版周期為18 issues per year，國際簡稱為SILICON-NETH，中文名稱硅。該雜志旨在及時(shí)、準(zhǔn)確、全面地報(bào)道國內(nèi)外CHEMISTRY, PHYSICAL-MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY領(lǐng)域取得的最新研究成果、工作進(jìn)展及學(xué)術(shù)動態(tài)、技術(shù)革新等，促進(jìn)學(xué)術(shù)交流，鼓勵學(xué)術(shù)創(chuàng)新。
《Silicon》雜志分區(qū)情況
中科院分區(qū)：在中科院最新升級版分區(qū)表中，大類學(xué)科材料科學(xué)位于3區(qū)，小類學(xué)科CHEMISTRY, PHYSICAL物理化學(xué)位于3區(qū)。
JCR分區(qū)：根據(jù)最新JCR分區(qū)， 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū)中學(xué)科：CHEMISTRY, PHYSICAL，位于Q3區(qū)，排名103 / 178，百分位42.4%；MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY，位于Q3區(qū)，排名229 / 438，百分位47.8%； 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)中學(xué)科：CHEMISTRY, PHYSICAL，位于Q3區(qū)，排名107 / 178，百分位40.17%。MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY，位于Q3區(qū)，排名255 / 438，百分位41.89%。
投稿咨詢| 按JIF指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：CHEMISTRY, PHYSICAL | SCIE | Q3 | 103 / 178 |
42.4% |
| 學(xué)科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 229 / 438 |
47.8% |
| 按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū) | 收錄子集 | 分區(qū) | 排名 | 百分位 |
| 學(xué)科：CHEMISTRY, PHYSICAL | SCIE | Q3 | 107 / 178 |
40.17% |
| 學(xué)科：MATERIALS SCIENCE, MULTIDISCIPLINARY | SCIE | Q3 | 255 / 438 |
41.89% |
《Silicon》雜志評價(jià)數(shù)據(jù)
影響因子：2.8
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