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雜志簡介中科院分區(qū) JCR分區(qū) 發(fā)文統(tǒng)計通訊方式相關(guān)雜志期刊導(dǎo)航

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 雜志簡介

《Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics》重點專注發(fā)布工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域的新研究，旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識。鼓勵該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實驗研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今，在工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域，有較高影響力，對來稿文章質(zhì)量要求較高，稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)

中科院SCI期刊分區(qū)（2026年3月發(fā)布）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	是	是

中科院SCI期刊分區(qū)（2025年3月升級版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	是	是

中科院SCI期刊分區(qū)（2023年12月升級版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2022年12月升級版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月升級版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	是	是

中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月基礎(chǔ)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	是	是

中科院SCI期刊分區(qū)（2020年12月升級版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY 納米科技 PHYSICS, APPLIED 物理：應(yīng)用	4區(qū) 4區(qū) 4區(qū)	是	是

中科院分區(qū)趨勢圖

影響因子趨勢圖

中科院JCR分區(qū)：中科院JCR期刊分區(qū)（又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）是中國科學(xué)院文獻(xiàn)情報中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果，是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個重要指標(biāo)，一般而言，發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文，通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數(shù)據(jù)，現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價指標(biāo)，不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標(biāo)，而且也是測度期刊的學(xué)術(shù)水平，乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q4	348 / 368	5.6
學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY	SCIE	Q4	143 / 147	3.1
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q4	183 / 187	2.4
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q4	346 / 368	6.11
學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY	SCIE	Q4	138 / 147	6.46
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q4	178 / 187	5.08

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q4	319 / 352	9.5
學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY	SCIE	Q4	134 / 140	4.6
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q4	171 / 179	4.7
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q4	336 / 354	5.23
學(xué)科：NANOSCIENCE & NANOTECHNOLOGY	SCIE	Q4	133 / 140	5.36
學(xué)科：PHYSICS, APPLIED	SCIE	Q4	175 / 179	2.51

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 雜志發(fā)文統(tǒng)計

文章名稱引用次數(shù)
Electrical Sensor Based on Hollow ZnO Spheres for Hydrazine Detection8
High UV-to-Visible Rejection Ratio and Low Cost UV Photodetector Based on Co-Doped ZnO Nanorods Grown on Polyethylene Terephthalate Substrate6
Comparative Analysis Among Single Material Gate, Double Material Gate, and Triple Material Gate FinFETs: RF/Analog and Digital Inverter Performance6
Growth of ZnO Nanorods on Different Seed Layer Thickness Using the Hydrothermal Method for UV Detection5
An Electronic Synapse Device Based on TiO2 Thin Film Memristor5
Adsorption of CH4 Molecules on Pt-Doped ZnO(001) Surfaces: A Density Functional Theory Study4
Microstructure and Mechanical Properties of MoSi2 Coating Deposited on Mo Substrate by Hot Dipping Processes4
Reliable, High-Performance, and Nonvolatile Hybrid SRAM/MRAM-Based Structures for Reconfigurable Nanoscale Logic Devices4
Experimental Investigation of Corrosion Improvement Implanted Ta by Ar-Ni Ions3
Performance Enhancement of Junctionless Tunnel Field Effect Transistor Using Dual-k Spacers3
國家/地區(qū)發(fā)文量
CHINA MAINLAND322
India133
South Korea50
Saudi Arabia44
Iran41
Egypt31
Pakistan30
Malaysia27
Turkey26
Algeria24
機(jī)構(gòu)發(fā)文發(fā)文量
NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY (NIT SYSTEM)47
ISLAMIC AZAD UNIVERSITY16
COMSATS UNIVERSITY ISLAMABAD (CUI)15
ZHENGZHOU UNIVERSITY OF LIGHT INDUSTRY15
CHONGQING UNIVERSITY14
UNIVERSITI TEKNOLOGI MALAYSIA14
KING KHALID UNIVERSITY12
KING SAUD UNIVERSITY10
ASSIUT UNIVERSITY9
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES9

Journal Of Nanoelectronics And Optoelectronics 雜志社通訊方式

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