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Iete Technical Review
收藏雜志

Iete Technical Review

技術(shù)評論雜志

中科院分區(qū):4區(qū) JCR分區(qū):Q2 預(yù)計審稿周期: 12周,或約稿

《Iete Technical Review》是一本由Taylor and Francis Ltd.出版商出版的計算機科學(xué)國際刊物,國際簡稱為IETE TECH REV,中文名稱技術(shù)評論。該刊創(chuàng)刊于1984年,出版周期為Bimonthly。 《Iete Technical Review》2023年影響因子為2.5,被收錄于國際知名權(quán)威數(shù)據(jù)庫SCIE。

ISSN:0256-4602
研究方向:工程技術(shù)-電信學(xué)
是否預(yù)警:否
出版地區(qū):INDIA
Gold OA文章占比:1.18%
語言:English
是否OA:開放
OA被引用占比:0.0709...
出版商:Taylor and Francis Ltd.
出版周期:Bimonthly
影響因子:2.5
創(chuàng)刊時間:1984
年發(fā)文量:52
雜志簡介 中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計 通訊方式 相關(guān)雜志 期刊導(dǎo)航

Iete Technical Review 雜志簡介

《Iete Technical Review》重點專注發(fā)布工程技術(shù)-電信學(xué)領(lǐng)域的新研究,旨在促進和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識。鼓勵該領(lǐng)域研究者詳細地發(fā)表他們的高質(zhì)量實驗研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今,在工程技術(shù)-電信學(xué)領(lǐng)域,有較高影響力,對來稿文章質(zhì)量要求較高,稿件投稿過審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Iete Technical Review 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)
中科院SCI期刊分區(qū)(2023年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
計算機科學(xué) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 TELECOMMUNICATIONS 電信學(xué) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2022年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
計算機科學(xué) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 TELECOMMUNICATIONS 電信學(xué) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月舊的升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
計算機科學(xué) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 TELECOMMUNICATIONS 電信學(xué) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月基礎(chǔ)版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
工程技術(shù) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 TELECOMMUNICATIONS 電信學(xué) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2021年12月升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
計算機科學(xué) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 TELECOMMUNICATIONS 電信學(xué) 4區(qū) 4區(qū)
中科院SCI期刊分區(qū)(2020年12月舊的升級版)
大類學(xué)科 分區(qū) 小類學(xué)科 分區(qū) Top期刊 綜述期刊
計算機科學(xué) 4區(qū) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程:電子與電氣 TELECOMMUNICATIONS 電信學(xué) 4區(qū) 4區(qū)
中科院分區(qū)趨勢圖
影響因子趨勢圖

中科院JCR分區(qū):中科院JCR期刊分區(qū)(又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù))是中國科學(xué)院文獻情報中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果,是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個重要指標,一般而言,發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文,通常被認為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子:是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項數(shù)據(jù),現(xiàn)已成為國際上通用的期刊評價指標,不僅是一種測度期刊有用性和顯示度的指標,而且也是測度期刊的學(xué)術(shù)水平,乃至論文質(zhì)量的重要指標。

Iete Technical Review 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫
按JIF指標學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q2 165 / 352

53.3%

學(xué)科:TELECOMMUNICATIONS SCIE Q3 62 / 119

48.3%

按JCI指標學(xué)科分區(qū) 收錄子集 分區(qū) 排名 百分位
學(xué)科:ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC SCIE Q3 242 / 354

31.78%

學(xué)科:TELECOMMUNICATIONS SCIE Q3 86 / 119

28.15%

Iete Technical Review CiteScore 評價數(shù)據(jù)

  • CiteScore:5.7
  • SJR:0.599
  • SNIP:1.194

CiteScore 排名

學(xué)科類別 分區(qū) 排名 百分位
大類:Engineering 小類:Electrical and Electronic Engineering Q2 226 / 797

71%

CiteScore趨勢圖
年發(fā)文量趨勢圖

CiteScore:是由Elsevier2016年發(fā)布的一個評價學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標,該指標是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的,都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標,給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Iete Technical Review 雜志發(fā)文統(tǒng)計

文章名稱引用次數(shù)

  • Bi-Stability in an Improved Memristor-Based Third-Order Wien-Bridge Oscillator16
  • Review on Liquid-level Measurement and Level Transmitter Using Conventional and Optical Techniques10
  • Fog Computing-Based Smart Health Monitoring System Deploying LoRa Wireless Communication7
  • Detection, Measurement, and Classification of Partial Discharge in a Power Transformer: Methods, Trends, and Future Research6
  • Recursive Information Hiding Scheme Through LSB, PVD Shift, and MPE4
  • Device-to-Device Communication Based IoT System: Benefits and Challenges3
  • A Privacy-preserving Image Retrieval Method Based on Improved BoVW Model in Cloud Environment3
  • Heterogeneous Wireless Network for IoT Applications3
  • A Review on HT Attacks in PLD and ASIC Designs with Potential Defence Solutions3
  • 3D Modelling and Performance Analysis of Dual Material Tri-Gate Tunnel Field Effect Transistor2

國家/地區(qū)發(fā)文量

  • India171
  • CHINA MAINLAND51
  • South Korea21
  • Mexico7
  • Malaysia5
  • Canada4
  • England4
  • Taiwan4
  • USA4
  • Russia3

機構(gòu)發(fā)文發(fā)文量

  • INDIAN INSTITUTE OF TECHNOLOGY SYSTEM (IIT SYSTEM)78
  • NATIONAL INSTITUTE OF TECHNOLOGY (NIT SYSTEM)44
  • JAWAHARLAL NEHRU UNIVERSITY, NEW DELHI18
  • DEFENCE RESEARCH & DEVELOPMENT ORGANISATION (DRDO)10
  • SHANGHAI UNIVERSITY8
  • SUNGKYUNKWAN UNIVERSITY (SKKU)8
  • INDIRA GANDHI CENTRE FOR ATOMIC RESEARCH (IGCAR)6
  • SAMSUNG6
  • SAMSUNG ELECTRONICS6
  • UNIVERSITY OF DELHI6

Iete Technical Review 雜志社通訊方式

《Iete Technical Review》雜志通訊方式為:INST ELECTRONICS TELECOMMUNICATION ENGINEERS, 2 INSTITUTIONAL AREA, LODI ROAD, NEW DELHI, INDIA, 110 003。詳細征稿細則請查閱雜志社征稿要求。本站可提供SCI投稿輔導(dǎo)服務(wù),SCI檢索,確保稿件信息安全保密,合乎學(xué)術(shù)規(guī)范,詳情請咨詢客服。

SCI期刊分類導(dǎo)航

免責聲明

若用戶需要出版服務(wù),請聯(lián)系出版商:INST ELECTRONICS TELECOMMUNICATION ENGINEERS, 2 INSTITUTIONAL AREA, LODI ROAD, NEW DELHI, INDIA, 110 003。

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