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雜志簡(jiǎn)介中科院分區(qū) JCR分區(qū) CiteScore 發(fā)文統(tǒng)計(jì) 通訊方式相關(guān)雜志期刊導(dǎo)航

Ieee Transactions On Nuclear Science 雜志簡(jiǎn)介

《Ieee Transactions On Nuclear Science》重點(diǎn)專注發(fā)布工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域的新研究，旨在促進(jìn)和傳播該領(lǐng)域相關(guān)的新技術(shù)和新知識(shí)。鼓勵(lì)該領(lǐng)域研究者詳細(xì)地發(fā)表他們的高質(zhì)量實(shí)驗(yàn)研究和理論結(jié)果。該雜志創(chuàng)刊至今，在工程技術(shù)-工程：電子與電氣領(lǐng)域，有較高影響力，對(duì)來(lái)稿文章質(zhì)量要求較高，稿件投稿過(guò)審難度較大。歡迎廣大同領(lǐng)域研究者投稿該雜志。

Ieee Transactions On Nuclear Science 雜志中科院分區(qū)

中科院SCI分區(qū)數(shù)據(jù)

中科院SCI期刊分區(qū)（2026年3月發(fā)布）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù)	3區(qū) 2區(qū)	是	是

中科院SCI期刊分區(qū)（2025年3月升級(jí)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	2區(qū)	NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	1區(qū) 3區(qū)	是	是

中科院SCI期刊分區(qū)（2023年12月升級(jí)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū) 3區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2022年12月升級(jí)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	1區(qū) 3區(qū)	否	否

中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月升級(jí)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	2區(qū) 3區(qū)	是	是

中科院SCI期刊分區(qū)（2021年12月基礎(chǔ)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	4區(qū)	ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣 NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù)	4區(qū) 3區(qū)	是	是

中科院SCI期刊分區(qū)（2020年12月升級(jí)版）

大類學(xué)科	分區(qū)	小類學(xué)科	分區(qū)	Top期刊	綜述期刊
工程技術(shù)	3區(qū)	NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY 核科學(xué)技術(shù) ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC 工程：電子與電氣	1區(qū) 3區(qū)	是	是

中科院分區(qū)趨勢(shì)圖

影響因子趨勢(shì)圖

中科院JCR分區(qū)：中科院JCR期刊分區(qū)（又稱分區(qū)表、分區(qū)數(shù)據(jù)）是中國(guó)科學(xué)院文獻(xiàn)情報(bào)中心世界科學(xué)前沿分析中心的科學(xué)研究成果，是衡量學(xué)術(shù)期刊影響力的一個(gè)重要指標(biāo)，一般而言，發(fā)表在1區(qū)和2區(qū)的SCI論文，通常被認(rèn)為是該學(xué)科領(lǐng)域的比較重要的成果。

影響因子：是湯森路透(Thomson Reuters)出品的期刊引證報(bào)告(Journal Citation Reports,JCR)中的一項(xiàng)數(shù)據(jù)，現(xiàn)已成為國(guó)際上通用的期刊評(píng)價(jià)指標(biāo)，不僅是一種測(cè)度期刊有用性和顯示度的指標(biāo)，而且也是測(cè)度期刊的學(xué)術(shù)水平，乃至論文質(zhì)量的重要指標(biāo)。

Ieee Transactions On Nuclear Science 雜志JCR分區(qū)

Web of Science 數(shù)據(jù)庫(kù)

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	227 / 368	38.5
學(xué)科：NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY	SCIE	Q2	15 / 41	64.6
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	149 / 368	59.65
學(xué)科：NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY	SCIE	Q2	15 / 41	64.63

按JCI指標(biāo)學(xué)科分區(qū)	收錄子集	分區(qū)	排名	百分位
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q3	211 / 352	40.2
學(xué)科：NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY	SCIE	Q1	10 / 40	76.3
學(xué)科：ENGINEERING, ELECTRICAL & ELECTRONIC	SCIE	Q2	149 / 354	58.05
學(xué)科：NUCLEAR SCIENCE & TECHNOLOGY	SCIE	Q2	13 / 40	68.75

Ieee Transactions On Nuclear Science CiteScore 評(píng)價(jià)數(shù)據(jù)

CiteScore：3.7
SJR：0.589
SNIP：1.442

CiteScore 排名

學(xué)科類別	分區(qū)	排名	百分位
大類：Energy 小類：Nuclear Energy and Engineering	Q2	28 / 85	67%
大類：Energy 小類：Nuclear and High Energy Physics	Q2	34 / 97	65%
大類：Energy 小類：Electrical and Electronic Engineering	Q2	423 / 1030	58%

CiteScore趨勢(shì)圖

年發(fā)文量趨勢(shì)圖

CiteScore：是由Elsevier2016年發(fā)布的一個(gè)評(píng)價(jià)學(xué)術(shù)期刊質(zhì)量的指標(biāo)，該指標(biāo)是指期刊發(fā)表的單篇文章平均被引用次數(shù)。CiteScore和影響因子的作用是一樣的，都是可以體現(xiàn)期刊質(zhì)量的重要指標(biāo)，給選刊的作者了解期刊水平提供幫助。

Ieee Transactions On Nuclear Science 雜志發(fā)文統(tǒng)計(jì)

文章名稱引用次數(shù)
Contribution of Thermal Neutrons to Soft Error Rate12
Influence of LDD Spacers and H+ Transport on the Total-Ionizing-Dose Response of 65-nm MOSFETs Irradiated to Ultrahigh Doses9
Luminescence and Scintillation Properties of Novel Disodium Dimolybdate (Na2Mo2O7) Single Crystal9
Strategies for Removing Common Mode Failures From TMR Designs Deployed on SRAM FPGAs8
Radiation Effects on Deep Submicrometer SRAM-Based FPGAs Under the CERN Mixed-Field Radiation Environment7
Fully Digital and White Rabbit-Synchronized Low-Level RF System for LIPAc7
IBEX: Versatile Readout ASIC With Spectral Imaging Capability and High Count Rate Capability6
Estimating Terrestrial Neutron-Induced SEB Cross Sections and FIT Rates for High-Voltage SiC Power MOSFETs6
Investigations on the Geometry Effects and Bias Configuration on the TID Response of nMOS SOI Tri-Gate Nanowire Field-Effect Transistors6
Radiation-Induced Attenuation in Single-Mode Phosphosilicate Optical Fibers for Radiation Detection6
國(guó)家/地區(qū)發(fā)文量
USA331
CHINA MAINLAND200
France185
Italy105
Switzerland95
Japan78
GERMANY (FED REP GER)53
South Korea44
England41
Russia37
機(jī)構(gòu)發(fā)文發(fā)文量
UNITED STATES DEPARTMENT OF ENERGY (DOE)105
CHINESE ACADEMY OF SCIENCES100
VANDERBILT UNIVERSITY93
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)80
EUROPEAN ORGANIZATION FOR NUCLEAR RESEARCH (CERN)76
CEA73
ISTITUTO NAZIONALE DI FISICA NUCLEARE (INFN)58
UNIVERSITE DE TOULOUSE34
UNIVERSITE DE MONTPELLIER31
UNITED STATES DEPARTMENT OF DEFENSE29

Ieee Transactions On Nuclear Science 雜志社通訊方式

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