特(te)別提示:下文(wen)涉及的(de)題材或公(gong)司(si),內容羅列和篇幅長短,與后續漲跌無(wu)關(guan),亦均(jun)非進行推薦,僅作研究輔助。投資者應自主(zhu)決策,注意風險。 一、市(shi)場(chang)熱點 存(cun)儲(chu):高(gao)價(jia)(jia)值DRAM需(xu)(xu)求持(chi)續增(zeng)(zeng)長 ◇驅(qu)(qu)動:2025年(nian)8月(yue)21日(ri)盤中媒體(ti)報道(dao),AI驅(qu)(qu)動以HBM3E和高(gao)容量DDR5為代(dai)表的(de)高(gao)價(jia)(jia)值DRAM需(xu)(xu)求持(chi)續增(zeng)(zeng)長,以及二(er)季度(du)存(cun)儲(chu)原廠EOL通(tong)知刺激傳統DDR4/LPDDR4X價(jia)(jia)格與需(xu)(xu)求快(kuai)速(su)攀升的(de)雙重驅(qu)(qu)動下,2025年(nian)二(er)季度(du)全球DRAM市(shi)場(chang)規模環比增(zeng)(zeng)長20%至(zhi)321.01億美(mei)元,創(chuang)歷史季度(du)新高(gao)。 ◇定制化(hua)DRAM:機構表示,