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2023-11-17 09:10:03
謝謝分享光刻機:國產光刻機:國產替代
@加油奧利給: 核心觀點光刻為C制造核心工藝,光刻技術的演進成就了摩爾定律。光刻工藝占IC制造1/2的時間+1/3的成本,在瑞利公式:=1/的指導下,人類在縮短波長,增大數值孔徑NA,降低工藝因子1三個方面展開探索,目前已實現13.5nm波長與達物理極限的1,正在向0.55 NAEUV邁步。為了實現進一步制程微縮,
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