@選對股買對時:
事(shi)件(jian)1:SK海力士(shi)20日(ri)宣布(bu),全球首(shou)次實現(xian)垂直堆(dui)疊12個單品(pin)DRAM芯片(pian),成功開發出最(zui)高(gao)容量24GB的HBM3 DRAM。容量較(jiao)上一代HBM3 DRAM提升50%。SK海力士(shi)已向客戶提供(gong)樣品(pin)。1、存儲芯片(pian)周期下行(xing)過(guo)半,2023Q2探底,普遍預期2023H2將復蘇。23Q2供(gong)需雙方處于激烈(lie)博弈階段,雖
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