@加油奧利給:
核(he)心觀點光刻(ke)為C制造核(he)心工藝,光刻(ke)技術的演進成(cheng)就了摩爾定律。光刻(ke)工藝占IC制造1/2的時間+1/3的成(cheng)本,在瑞利公式(shi):=1/的指(zhi)導(dao)下,人類在縮(suo)短波長(chang),增大數(shu)值(zhi)孔徑NA,降(jiang)低工藝因(yin)子(zi)1三(san)個方面(mian)展開探(tan)索,目前(qian)已實現13.5nm波長(chang)與達物理(li)極(ji)限的1,正在向(xiang)0.55 NAEUV邁(mai)步。為了實現進一步制程微縮(suo),
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